系統內部電路中 主芯片內部電源提供 EOS 防護

對於系統而言，較常見的EOS事件多發生於對外接口(如:USB、HDMI…等)，因此通常對外接口都會加上TVS元件加強EOS的防護。但除了對外接口之外，在市場端其實也有發生系統主芯片的Core power因EOS能量而造成的燒毀事件。舉例來說，晶焱科技的TV客戶在驗證由市場端退回的主芯片 Core power燒毀狀況後，修正了TV產品設計階段的測試項目，客戶除了執行對外接口的ESD測試外，亦已再增加對於主芯片Core power的EOS測試。目前的EOS測試規格主要是參照IEC61000-4-5(8/20us)的規範，透過2 ohm輸出阻抗對產品的對外接口及主芯片Core power進行EOS 36V的測試。 

發生主芯片Core power燒毀的原因，可能是來自於系統於開關機瞬間產生的EOS突波，而此突波能量是主芯片所無法承受的，最終導致主芯片燒毀的狀況發生，但透過TVS對於主芯片Core power進行防護後，就能提供有效的防護效果(圖一)。而隨著高階微型化半導體製程的演進，主芯片Core Power也由過往常見的3.3V漸漸轉往低壓1.8V或甚至更低電壓，因此也造成主芯片本身抵禦外部突波能量的能力也越來越弱，使得此種主芯片Core power被EOS燒毀的現象也越來越受到系統廠的重視。

圖一、主芯片Core power加上TVS防護示意圖

TVS防護元件有分單向及雙向的設計，針對電源上面的防護，建議選用單向的TVS做防護以提供較好的防護效果。圖二(a)以兩顆操作電壓皆為3.3V的TVS料件在TLP上進行舉例比較，其中AZ5123-01F為雙向TVS(綠色線)及AZ5013-01F為單向TVS(紅色線)，從正向TLP的測試結果觀察到兩者在這部分的導通電壓(trigger voltage)及箝制電壓相近，因此可推斷對於正電壓的突波防護效果是相近的；但是比較負向TLP的測試結果後，則可發現雙向TVS AZ5123-01F導通電壓為-6.2V而單向TVS AZ5013-01F則為-0.7V，單向TVS AZ5013-01F能在負電壓突波來襲時更早導通進行防護。 

圖二(b)中系統針對3.3V電源需要一個保護元件，在使用雙向TVS(如: AZ5123-01F)進行防護設計的情況下，如遭遇-3V的突波能量時，因AZ5123-01F負向電壓需要超過-6.2V才能啟動導通，如主芯片的電路較TVS早導通或無法承受此能量，就會發生燒毀的情形。但如將TVS更換成單向TVS AZ5013-01F時，在遇到-3V突波的情況下，因為此突波已經超過AZ5013-01F的順偏導通電壓-0.7V，因此AZ5013-01F會快速將大部分的能量宣洩至地迴路，使主芯片幾乎不受此突波能量的衝擊，進而達到更佳的保護效果。

圖二、單雙向TVS元件導負電壓導通示意圖

針對電源方面的用料，除了建議採用單向TVS使系統電源遇到負向突波能量時能提供較佳的防護效果，而隨著產品設計愈來越微型化的發展趨勢，PCB板中能擺放TVS的空間越來越有限，因此小封裝的TVS對於系統設計而言是更佳的選擇。

晶焱科技 針對電源部分開發了一系列小型化尺寸的TVS，從過往常見的5V及各種電壓，或是主芯片Core power 常見的1.8V電源都有提供相對應的TVS料件。並且過往在0201封裝(元件長寬為0.6mm x 0.3mm) TVS中多為雙向的設計，目前晶焱科技已新開發出一系列針對主芯片 Core Power的0201封裝且單向的TVS(表一)，不僅能在主芯片Core power擁擠的周圍電路輕易做設計，同時若還可以擺放得越接近Core power就能夠提供更佳的EOS防護效果。

表一，單向MCSP0603P2YS (0201封裝)於電源端應用的TVS防護元件